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基于Acute皇晶TL2236B+邏輯分析儀的NAND Flash 總線觸發(fā)與譯碼

近年以來受惠影音消費(fèi)性電子產(chǎn)品興起的熱潮，消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的需求與日俱增，使得NAND Flash的需求出現(xiàn)大幅度的成長(zhǎng)。

閃存(Flash Memory)目前分為NOR和NAND兩種，NOR、NAND Flash結(jié)構(gòu)由東芝(Toshiba)于1988

和1989年發(fā)表。NOR Flash 具有XIP (eXecute In

Place)的特點(diǎn)，這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash內(nèi)運(yùn)行，不必再把原始碼讀到系統(tǒng)RAM中，也因此部份NOR Flash被當(dāng)作ROM使用。NOR

Flash傳輸效率很高，在1~4MB的小容量具有很高的成本效益，但是很低的寫入和抹除速度大大影響它的性能。而NAND

Flash能提供較高的單元密度，可以達(dá)到高儲(chǔ)存密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND

Flash的困難在于需要特殊的系統(tǒng)管理方法，所以需要1個(gè)控制芯片(NAND Flash Controller)。一般而言NOR

Flash僅用來儲(chǔ)存少量的代碼，而NAND Flash則用做大量數(shù)據(jù)儲(chǔ)存用途。目前市場(chǎng)上主要的NAND

Flash制造商為三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、SK海力士(Hynix)、美光(Micron)和閃迪(SanDisk)等。

NAND Flash需求主要集中在智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、云端儲(chǔ)存大型數(shù)據(jù)庫(kù)用的固態(tài)硬盤(SSD)以及應(yīng)用在消費(fèi)端如記憶卡(Secure Card)、U盤(USB Disk)等。

雖然NAND Flash如此蓬勃的發(fā)展，但市面上針對(duì)NAND Flash總線的除錯(cuò)工具真可謂少之又少，Acute TL2236B+

PC-Based邏輯分析儀提供NAND Flash總線觸發(fā)與譯碼。NAND

Flash總線譯碼可以幫助工程師解讀訊號(hào)而觸發(fā)功能則可以快速定位到NAND Flash Command/Address/Data，甚至是busy

time error的位置。

NAND Flash總線譯碼:

NAND Flash總線譯碼支持Samsung/Toshiba/Hynix/Micron/Intel/ST/Spansion/

Winbond/Macronix/ONFI等廠家。

其中”儲(chǔ)存NAND Flash Data”功能可將NAND

Flash總線解出來的數(shù)據(jù)，屬于Data的部份另外存成.Bin檔案，因?yàn)镹AND Flash是一種會(huì)發(fā)生壞塊(Bad

Block)的儲(chǔ)存架構(gòu)，所以需要制定一套壞塊管理方法。而工程師可以利用這些檔案來檢視其壞塊管理法是否適當(dāng)�！癛educed

Report”功能可讓報(bào)告窗口僅顯示NAND Flash Command，這樣就可以僅檢視NAND Flash

Command而不會(huì)被大量NAND Flash Data占據(jù)整個(gè)報(bào)告窗口。

NAND Flash總線觸發(fā):

NAND Flash總線觸發(fā)除了可以快速定位NAND Flash command/address/data以及busy time

error的位置之外，還可以利用NAND Flash總線觸發(fā)提供的Clause

Trigger架構(gòu)以及搭配Timer/Counter來做不同的觸發(fā)組合。

出現(xiàn)10次NAND Flash erase時(shí)觸發(fā):

可以藉由上述之觸發(fā)組合來檢測(cè)Flash擦除(erase)次數(shù)是否正確；也可以利用類似的觸發(fā)組合來檢測(cè)NAND Flash其他的指令是否正常運(yùn)作，諸如寫入Flash、讀取Flash等等。

Acute PC-Based邏輯分析儀NAND Flash總線觸發(fā)與譯碼功能可以幫助NAND

Flash工程師快速解讀以及定位NAND Flash信號(hào)，節(jié)省除錯(cuò)時(shí)間并加快產(chǎn)品上

市時(shí)間。